Заставляет электроны двигаться по замысловатым траекториям новый странный эффект, возникающий в графене.

25
Сен
0

В области движения электроны весьма походят на людей, и те и другие следуют по пути наименьшего сопротивления. В среде токопроводящего материала это означает то, что электроны движутся в направлении распространения электрического поля,  источником которого является приложенный электрический потенциал. Тем не менее, электроны, как и некоторые люди, порой игнорируют правила. Это продемонстрировали ученые-физики из Массачусетского технологического института и Манчестерского университета, которые создали новый материал, основой которого стал графен, и в среде которого электроны могут двигаться под заданными углами по отношению к направлению приложенного электрического поля. Следует отметить, что такая возможность управления направлением движения электронов может использоваться для создания новых типов высокоэффективных транзисторов и других полупроводниковых устройств, благодаря появлению которых в электронике может произойти революция в буквальном смысле этого термина.

Новые тонкопленочные транзисторы были разработаны группой из Института передовых технологий.

8
Мар
0

Разработаны новые тонкопленочные транзисторы, благодаря которым можно наладить массовое производство гибкой электроники

Компьютеры, мобильные телефоны, которые можно будет сворачивать как листок бумаги, по праву считаются будущим потребительской электроники. Однако, одной из непреодолимых на сегодняшний день проблем, которая тормозит развитие всего  направления гибкой электроники в целом, является то, что существующие технологии производства не могут обеспечить массовое производство гибких электронных компонентов и приборов, обладающих идентичными электронными характеристиками. Однако, благодаря разработанному учеными из Суррейского университета новому компоненту, момент, когда появятся первые гибкие устройства, стал намного ближе.

Увеличить скорость работы полевых транзисторов удалось китайским ученым.

23
Авг
0

Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов

Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае (Fudan University), Китай, обнаружили способ существенного ускорения работы традиционных полевых транзисторов, которые сегодня являются основой практически всех компьютерных чипов, от  процессоров до памяти. Работа, опубликованная в журнале Science, описывает структуру нового туннельного полевого транзистора (Tunneling Field-Effect Transistor, TFET), на переключение которого, по сравнению с обычными транзисторами, требуется значительно меньшее количество энергии, что, в свою очередь, позволяет работать этому транзистору на более высоких частотах. В большинстве современных компьютерных чипов используются MOSFET-транзисторы (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), управляемые с помощью потенциала на плавающем затворе (Floating-Gate, FG). И, как хорошо известно, технологии изготовления таких транзисторов начинают приближаться к физическим ограничениям, которые не позволяют уменьшать их и без того маленькие размеры, увеличивая частоту их работы.

На основе компонентов одноатомной толщины создан новый тип флэш-памяти.

23
Мар
0

Новый тип флэш-памяти на основе компонентов одноатомной толщины демонстрирует многообещающие характеристики

Ученые из Швейцарского федерального политехнического университета Лозанны (Swiss Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, EPFL), объединив два материала с уникальными электрическими характеристиками, графен и молибденит, создали опытные образцы ячеек  флэш-памяти, которые демонстрируют многообещающие характеристики с точки зрения эффективности работы, размера, гибкости и потребления энергии. На основе молибденита ученые уже создали чипы простейших логических микросхем, а создание на основе этого материала флэш-памяти является большим шагом на пути продвижения этого материала в область практической электроники. Данное достижение является еще более внушительным благодаря тому, что ученые из Лаборатории нанометровых структур и электроники (Laboratory of Nanometer Electronics and Structures, LANES) реализовали действительно оригинальную идею, совместив полупроводниковые свойства молибденита с высокой электропроводностью и другими уникальными свойствами графена.

К началу выпуска процессоров c транзисторами на углеродных нанотрубках, готовится компания IBM.

5
Ноя
0

Компания IBM готовится к началу выпуска процессоров c транзисторами на углеродных нанотрубках

Представители компании IBM сообщили о том, что исследовательское подразделение компании сделало очень большой шаг в сторону начала масштабного производства компьютерных микросхем, основу которых составляют транзисторы на углеродных  нанотрубках. В ходе экспериментов, проводимых исследователями компании, используя стандартные технологии производства полупроводников, удалось создать однокристальные схемы, на которых присутствовали более десяти тысяч "нанотрубочных" транзисторов. Следует заметить, что это достижение появилось как нельзя кстати, в свете того, что кремниевые полупроводники вплотную приближаются к теоретическим пределам, перейти которые будет невозможно, по крайней мере при массовом производстве.

Новый метод производства графеновых транзисторов уже создан.

27
Июл
0

Создан новый метод производства графеновых транзисторов.

Германские исследователи нашли новый способ производства монолитных графеновых транзисторов. В этом способе используется подложка из карбида кремния, на поверхности которой с помощью метода обычной литографии получают тончайшую  графеновую пленку определенной формы. Новый метод производства транзисторов может привести к появлению компьютерных чипов и процессоров, основанных не на кремниевых, а на графеновых полупроводниковых приборах. Разработанная технология производства графеновых транзисторов имеет очень большое значение для электронной промышленности, ведь ни для кого не является секретом, что ученые уже вплотную приблизились к пределам, в которых физические ограничения станут причиной остановки дальнейшего развития кремниевых полупроводниковых приборов.

Протонный органический транзистор может стать эффективным посредником в «общении»между компьютерами и живыми организмами.

26
Сен
0

Протонный органический транзистор может стать эффективным посредником в общениимежду компьютерами и живыми организмами.

С развитием современных технологий человеко-машинные интерфейсы постоянно совершенствуются, но до сих пор не найдено возможности полноценно объединить электронику с телами живых организмов. И проблема заключается в самой природе  слова "электроника". Для переноса информации в электронных устройствах используется движение электронов, а в живых организмах, в большинстве случаев, - движение протонов или положительно заряженных ионов. Теперь же, благодаря разработке органического транзистора, способного управлять потоком протонов, могут открыться возможности реализации нового метода коммуникаций между машинами и биологическими системами.

Электронные схемы из алмазных нанопленок могут работать при экстремальных условиях окружающей среды.

19
Авг
0

Электронные схемы из алмазных нанопленок могут работать при экстремальных условиях окружающей среды.

Инженеры-электронщики из университета Вандербилт (Vanderbilt University) разработали все основные компоненты, необходимые для создания микроэлектронных устройств из чрезвычайно тонких алмазных пленок. Естественно, что основой этого всего  стал "алмазный" диод и транзистор, на основе которого были созданы более сложные устройства, включая и логические элементы.

Новый полевой транзистор с плавающим затвором — революция в области компьютерной памяти.

1
Фев
0

Новый полевой транзистор с плавающим затвором - революция в области компьютерной памяти.

Группа исследователей Университета штата Северная Каролина разработала новое устройство хранения информации, компьютерной памяти, которая сочетает в себе преимущества большой скорости доступа динамической памяти DRAM и энергонезависимость хранения данных, подобно Flash-памяти.

Создан первый полностью оптический транзистор.

21
Ноя
0

Создан первый полностью оптический транзистор.

Исследователи из Института квантовой оптики Макса Планка (Max Planck Institute of Quantum Optics, MPQ), Германия, и Швейцарского федерального политехнического университета Лозанны (Swiss Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, EPFL) изготовили микрорезонатор, который может